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BCP56-10T1G中文资料

BCP56-10T1G图片

BCP56-10T1G外观图

  • 大小：65.7KB
  • 厂家：ON Semiconductor
  • 描述： BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 80V, SOT-223; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency Typ ft:130MHz; Power Dissipation Pd:1.5W; DC Collector Current:1A; DC Current Gain Max (hfe):63 ;RoHS Compliant: Yes
  • 标准包装：1,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：晶体管(BJT) - 单路
  • 系列：-
  • 晶体管类型：NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：1A
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：80V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA
  • 电流 - 集电极截止（最大）：-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：63 @ 150mA，2V
  • 功率 - 最大：1.5W
  • 频率 - 转换：130MHz
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA
  • 供应商设备封装：SOT-223
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：BCP56-10T1G-NDBCP56-10T1GOSTR

BCP56-10T1G供应商

更新时间:2023-01-09 20:29:03
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